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1. 開關(guān)電源適配器電壓基準(zhǔn)按工作原理劃分

（1）并聯(lián)基準(zhǔn)

并聯(lián)基準(zhǔn)( Shunt Reference)如圖2-56所示?并聯(lián)基準(zhǔn)與負(fù)載是并聯(lián)的,基準(zhǔn)電壓Uref=Uin-

lf×Rs=Uin-(Iq+Il)×Rs,當(dāng)輸入電壓Uin或負(fù)載電流I發(fā)生產(chǎn)化時(shí),這類基準(zhǔn)通過(guò)調(diào)節(jié)l來(lái)保持U的穩(wěn)定?并聯(lián)基準(zhǔn)只有兩個(gè)引腳,價(jià)格較便宜,較適用于負(fù)載電流變化不大的場(chǎng)合;缺點(diǎn)是功耗相對(duì)較大,輸入電壓調(diào)整率不太理想,常見的并聯(lián)基準(zhǔn)型號(hào)有LM358,AD589等。

  (2)串聯(lián)基準(zhǔn)

  串聯(lián)基準(zhǔn)( Series Referenee)如圖2-57所示?串聯(lián)基準(zhǔn)與負(fù)載是串聯(lián)的,基準(zhǔn)電壓Uref=Uin-lf×Rs=Uin-(Iq+Il)×Rs?由于lq很小且基本保持恒定,故當(dāng)U.或l發(fā)生變化時(shí),串聯(lián)基準(zhǔn)通過(guò)調(diào)節(jié)內(nèi)部R的阻值來(lái)保持U的穩(wěn)定?串聯(lián)基準(zhǔn)通常有3個(gè)引腳,輸人?輸出壓差和l?可做得較小,故更適用于電池供電的場(chǎng)合,常見的串聯(lián)基準(zhǔn)型號(hào)有AD581、REF192等.

6V電源適配器電壓基準(zhǔn)按工藝技術(shù)劃分

(1) 齊納基準(zhǔn)

齊納基準(zhǔn)( Zener Reference)的優(yōu)點(diǎn)是成本低,小封裝,工作電壓范圍寬;缺點(diǎn)是功耗大,初始精度低,溫度系數(shù)大,輸入電壓調(diào)整率不好,使用時(shí)需根據(jù)供電電壓和負(fù)載電流串接一個(gè)電阻為其提供一定的電流,以便保持輸出電壓穩(wěn)定,齊納基準(zhǔn)通常用于要求不高的場(chǎng)合,或用做電壓帽位器。

(2) 掩埋齊納基準(zhǔn)

掩埋齊納基準(zhǔn)( Buried Zener Reference)具有很高的初始精度,小的溫度系數(shù)和好的長(zhǎng)期漂移穩(wěn)定性,噪聲電壓低,總體性能優(yōu)于其他類型的基準(zhǔn),故常用于12位或更高分辨率的系統(tǒng)中,掩理齊納基準(zhǔn)通常要求5V以上的供電電壓,并要消耗幾百微安的電流,價(jià)格較昂貴。

(3) 帶隙基準(zhǔn)

帶隙基準(zhǔn)( Bandgap Reference)的初始精度?溫度系數(shù)?長(zhǎng)期漂移?嗓聲電壓等性能指標(biāo)從低到高覆蓋面較寬,較適用于8~10位精度的系統(tǒng)中?該類基準(zhǔn)既有為通常目的設(shè)計(jì)的類型也有靜態(tài)電流小至幾十微安,輸入?輸出電壓差較低面適用于電池供電場(chǎng)合的產(chǎn)品,因面應(yīng)用范圍很寬?綜合來(lái)看,帶隙基準(zhǔn)性能良好,價(jià)格適中,是性價(jià)比最高的電壓基準(zhǔn)。

 (4)XFET基準(zhǔn)

  XFET是一種新型的電壓基準(zhǔn),它的性能水平介于帶隙和齊納基準(zhǔn)之間,靜態(tài)電流很小可用于3V電壓系統(tǒng),并且仍能保持良好的性能,XFET基準(zhǔn)有3個(gè)顯著的特點(diǎn):其一是在相同的工作電流條件下,它的峰一峰值噪聲電壓通常比帶隙基準(zhǔn)低數(shù)倍;其二是XFET基準(zhǔn)在工業(yè)級(jí)溫度范圍內(nèi)具有十分平坦或線性的溫度系數(shù)曲線,而帶隙和齊納基準(zhǔn)的溫度系數(shù)曲線在溫度范圍兩端常是非線性的,這種非線性不便于通過(guò)軟件來(lái)加以修正;其三是XFET基準(zhǔn)具有極好的長(zhǎng)期漂移穩(wěn)定性。